4月27日，盛美上海宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已正式出机。该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺，应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。
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